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JBS结构降低泄漏电流（IR）SBD是由半导体与金属的接合形成的。由于半导体和金属之间的势垒不同，它起着二极管的作用。由于半导体-金属界面上的分子结构可能是不连续的，因此可能会出现表面不规则、晶体缺陷或其它异常现象。当强电场作用于含有这些缺陷的半导体-金属界面时，会有所谓的泄漏电流（IR）流动。在具有传统结构的SBD中，耗尽区延伸到半导体侧（如下所示），导致电荷（或电子）产生的电场在半导体-金属界面处最强。相反，在JBS二极管中，耗尽区延伸于部分埋在半导体表面下的p和n-区之间。当反向偏压增大