7月18日消息，据Hi Investment & Securities机构最新发布的报告显示，三星电子在3nm制程工艺上的良率达到了史无前例的60%，这一数字甚至高于其主要竞争对手台积电的55%。这一进步的背后，反映出三星在芯片制造领域的持续努力和精进。

报告详细指出，三星在3nm制程工艺上的优异表现，主要得益于其不懈的研发投入以及生产过程的精细化管理。三星在3nm工艺的开发和生产过程中，采用了全新的工艺设计和设备，这些新的技术和设备显著提高了工艺的稳定性和良率。在此之前，台积电的55%的良率在行业中也被认为是一个较高的水平。

然而，三星并未就此满足。他们在4nm制程工艺方面，也正在取得显著的进展。目前，AVX(艾维克斯)进口钽电容IC无源器件 三星在4nm制程工艺上的良率为75%，虽然这一数字略低于台积电的80%，但已经足够与台积电一争高下。

报告还提到，由于台积电的大部分订单都被苹果公司预订，许多其他公司如英伟达、高通等对三星的第二代3nm（SF3）工艺表现出了浓厚的兴趣。这些公司认为，三星的SF3工艺具有较高的良率和性价比，对于他们的产品来说，是一个更具吸引力的选择。

这一消息对于三星来说，无疑是一个极大的鼓舞。这不仅意味着他们在芯片制造技术上取得了重大突破，同时也意味着他们在与台积电的竞争中，逐渐找到了自己的优势和地位。未来，随着三星在3nm制程工艺上的持续精进和优化，我们有理由相信他们将在超先进芯片制造技术领域走得更远，也有可能超过台积电，成为全球芯片制造行业的领头羊。 

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