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国产射频前端芯片5G L-PAMiD芯片实现零的突破
- 发布日期:2024-04-27 08:18 点击次数:159
5 月 18 日消息,5G L-PAMiD 模组(LNA-Power Amplifier Module integrated Duplexer)是集成了功率放大器、低噪声放大器、耦合器、射频开关、滤波器、双 / 多工器等的射频前端模组,可以支持 5G 重耕频段的收发需求外,还能向下兼容 4G、3G 和 2G 频段的收发需求,并支持大部分频段的 5G+4G 双连接需求。
国内射频前端芯片设计公司唯捷创芯和昂瑞微开发的 L-PAMiD芯片已进入量产阶段,并通过多家品牌客户的验证,预计 2023 年能够实现大规模量产出货。
对于 WiFi FEM 进展, 芯片采购平台唯捷创芯称,公司主流产品为 Wi-Fi 6 和 Wi-Fi 6E,主要应用在手机和路由器之中,目前已实现大规模量产出货;同时,今年会推出 WiFi 7 产品,目前已在客户端送样和推广。
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