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寄生电容是指电感，电阻，芯片引脚等在高频情况下表现出来的电容特性。实际上，一个电阻等效于一个电容，一个电感，一个电阻的串联，低频情况下表现不明显，而高频情况下，等效值会增大。在计算中我们要考虑进去。 ESL就是等效电感，ESR就是等效电阻。不管是电阻，电容，电感，还是二极管，三极管，MOS管，还有IC，在高频情况下要考虑到等效电容值，电感值。 我们可看做是我们的各个管脚之间都是串接了一个电容在其旁边，如图所示，由于MOS管背部存在寄生电容，这会影响到我们的MOS管的开关断的时间。 故此，如果M

我们应该都清楚，MOSFET 的栅极和漏源之间都是介质层，因此栅源和栅漏之间必然存在一个寄生电容CGS 和CGD，沟道未形成时，漏源之间也有一个寄生电容CDS，所以考虑寄生电容时，MOSFET 的等效电路就成了图 2 的样子了。但是，我们从MOSFET 的数据手册中一般看不到这三个参数，手册给出的参数一般是 CISS、COSS和CRSS（见图 1 ）， 图 1 某数据手册关于寄生电容的描述 它们与CGS、CGD、CDS的关系如下： CISS=CGS+CGD(CDS 短路时)，COSS=CDS+