BSN20BK上亿配芯城 一站配齐 高效省心
2025-10-10BSN20BK芯片性能参数、应用领域与技术方案介绍 一、芯片性能参数 BSN20BK是一款N沟道增强型场效应晶体管(MOSFET),采用先进的半导体工艺设计,具有低导通电阻和高开关速度特性。其关键性能参数包括: - 漏源电压(VDS):高达200V,适用于中高压电路环境; - 连续漏极电流(ID):最大2A,支持较高负载需求; - 导通电阻(RDS(on)):典型值仅0.5Ω,可显著降低功耗与发热; - 栅极阈值电压(VGS(th)):范围2~4V,确保与多数控制电路兼容; - 封装形式:采用