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标题:IXYS艾赛斯IXGX82N120A3功率半导体IGBT技术与应用介绍 随着科技的飞速发展,电力电子技术的应用领域越来越广泛,对高性能功率半导体器件的需求也日益增长。IXYS艾赛斯公司的IXGX82N120A3功率半导体IGBT,以其卓越的性能和稳定性,成为了众多应用领域的首选。 IXYS艾赛斯IXGX82N120A3功率半导体IGBT是一款具有1200V、260A、1250W额定功率的IGBT。其工作频率范围广,能够在各种恶劣环境下稳定工作,尤其适用于各种大功率电源、电机驱动、变频器等
标题:Infineon(IR) IKP20N65H5XKSA1功率半导体IGBT技术与应用介绍 Infineon(IR)的IKP20N65H5XKSA1功率半导体IGBT是一种高效、可靠的功率电子设备,其采用TRENCH 650V技术,具有42A的电流容量。这种器件在各种工业应用中发挥着关键作用,特别是在需要高功率转换和高效率的场合。 IKP20N65H5XKSA1 IGBT的特性包括其独特的TRENCH结构,这种结构允许更快的开关速度和更低的导通电阻,从而提高了设备的整体效率。此外,其650