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一季 相关话题

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1、STM32F030CCT6 厂商:ST,封装:48-Pin LQFP,说明:16/32位MCU。 2、TPA3118D2DAPR 厂商:TI,封装:32-Pin HTSSOP,说明:音频放大器。 3、STM32F105RBT6 厂商:ST,封装:64-Pin LQFP,说明:32位MCU。 4、TPS563201DDCR 厂商:TI,封装:6-Pin TSOT-23,说明:DC-DC转换器。 5、TPS63070RNMR 厂商:TI,封装:15-Pin VQFN,说明:DC-DC转换器。
SP485EEN-L/TR 技术参数芯片详细信息Manufacturer Part Number: SP485EEN-L/TR Rohs Code: Yes Part Life Cycle Code: Contact Manufacturer Ihs Manufacturer: MAXLINEAR INC Package Description: SOP, ECCN Code: EAR99 HTS Code: 8542.39.00.01 Manufacturer: MaxLinear Inc
继电器因型号而异,但它们的原理相似。继电器的工作原理继电器的工作原理如图所示:继电器内部有一个电磁线圈,线圈上端有一个电枢。不通电时,动触头和静触头在左弹簧张力的作用下连通,动触头和静触头不连接。当在电磁线圈的两端13和14施加额定电压时,在电磁线圈的磁力作用下,电枢驱动连杆向下移动,动触头和静触头B断开并与静触头A连通..静触点B和动触点在未通电时连接,通电时断开,这样的一对触点称为常闭。同样,静止触点A和运动触点在未通电时不连接,通电时连接,这对触点称为常开。 简言之,继电器的原理是通过控
LED的构造其实非常简单:一般来说,就是一个方形的二极管片装在一个塑料、树脂或是陶瓷底座的特殊环氧层中。处于半导体中心部位的电子可以通过传感原料,转换生成灯光,而封贴在“罩状”环氧层内的微型芯片,可以将灯光“映射”出来。典型LED有两个插脚,一个长一个短。较长的插脚为阳极,或者也可以说是正极,短一点的插脚则是阴极。 不同尺寸及形状的LED底座,与LED芯片尺寸、芯片与环氧透镜之间的距离以及反射罩的形状等因素,共同决定了光线的观测角度。生产二极管芯片的化学元素互相结合,配合能源因素,可延展生成光
FPGA(Field-Programmable GateArray),即现场可编程门阵列,它是在PAL、GAL、CPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。它是作为专用集成电路(ASIC)领域中的一种半定制电路而出现的,既解决了定制电路的不足,又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。所以,要想玩转FPGA,就必须理解FPGA内部的工作原理,学习如何利用这些单元实现复杂的逻辑设计。 FPGA一般来说比ASIC(专用集成芯片)的速度要慢,无法完成复杂的设计,但是功耗较低。但是 他们也有很多的优
BC817是一种常用的普通三极管,它是一种低电压,大电流的NPN型硅三极管。 BC817三极管特点: 1、晶体管极性:NPN 2、电压, Vceo:45V 3、截止频率 ft, 典型值:100MHz 4、功耗, Pd:310mW 5、集电极直流电流:500mA 6、直流电流增益 hFE:100 7、封装类型:SOT-23 根据BC817三极管特点可以知道BC817三极管可以用到很多地方,所以很多地方可以看到。 BC817三极管的特性: 大集电极电流Ic 集电极-基极电压Vcbo:50V 工作温
在单片机中晶振是普遍存在的,那么晶振为什么这么必要,原因就在于单片机能否正常工作的必要条件之一就是时钟电路,所以单片机就很需要晶振,打个比方来说:晶振好比单片机的心脏,如果没有心脏起跳,单片机无法工作,晶振值越大,单片机运行速度越快,有时并不是速度越快越好,对于电子电路而言,速度够用就是最好,速度越快越容易受干扰,可靠性越差!下面小编带你了解整个晶振的原理以及晶振电路的构造。 晶振,全称是石英晶体振荡器,是一种高精度和高稳定度的振荡器。通过一定的外接电路来,可以生成频率和峰值稳定的正弦波。而单
导热硅胶片与陶瓷散热片的区别有哪些呢?如果从耐温范围、材料硬度、绝缘性能,导热系数、贴合性能等方面来进行讨论区分,具体的区分就如下所陈述的。 导热硅胶片性能与特点 导热硅胶片的耐温范围:高导热硅胶片高温度工作范围是200℃,但是陶瓷散热片可以在1700℃以上高温环境下正常使用。 导热硅胶片的材料硬度:导热硅胶片是一种压缩性比较好的弹性硅胶材料,而陶瓷散热片则是一种高硬陶瓷材料,在硬度方面陶瓷散热片要远远高于导热硅胶片。 导热硅胶片的绝缘性能:导热硅胶片的击穿电压是4.5KV/mm,而的陶瓷散热
对于MOSFET而言,米勒效应(MillerEffect)指其输入输出之间的分布电容(栅漏电容)在MOSFET开关过程中,会使驱动信号形成平台电压,引起开关时间变长,进而导致开关损耗增加,给MOS管的正常工作带来非常不利的影响。 本文将以网上了解到的相关资料为基础并结合自己的理解,分析MOS管开通过程以及米勒平台的形成。首先我们先看一下MOSFET的结构简化图: 图一MOSFET的结构简图 通过图一可知:N沟道增强型MOS管以一块低掺杂的P型硅片为衬底,利用扩散工艺制作两个高掺杂的N+区,并引
集微网消息,IC Insights发表2018年第一季半导体产业营收概况,整体而言,前15家半导体公司的销售额较2017年第一季成长26%,整体半导体产业成长约20%。 令人惊讶的是,三星、SK海力士和美光三家内存供货商在第一季的出货量均较去年同期成长超过40%。 随着DRAM和NAND Flash持续一整年的强劲成长,三星2017年第一季销售数字还落后英特尔5%,但2018年第一季营收就大幅超越英特尔23%。 英特尔在2017年第一季还稳坐龙头位置,但在2017年第二季以及全年失去了其自19