在当前内存市场需求疲软的环境下，三星、美光和SK海力士相继发布1z nm内存芯片，抢进高端内存市场。并方案下半年开端量产，并于2020年在新一代效劳器、高端PC及智能手机等应用发力。

三星1znm 8Gb DDR4消费率进步20%以上，下半年量产

据笔者此前得悉，在今年3月，三星开端大范围量产12GB 低功耗双倍数率的LPDDR4X后，三星又宣布初次开发出第三代10nm级1z nm 8Gb双倍数据速率的DDR4。

这是三星自2017年底批量消费第二代10nm级（1y-nm）8Gb DDR4以来，仅仅16个月就开发出了1z nm 8Gb DDR4，而且不运用极紫外光刻（EUV）设备处置，就打破了DRAM的技术应战。

三星1z nm是业界最小的存储器工艺，新的1z nm DDR4相较于1ynm消费率可进步20%以上，方案将在下半年开端量产1z nm 8Gb DDR4，并将在2020年推出新一代企业效劳器和高端PC应用的DRAM，满足将来市场日益增长的需求。

开发的1z nm DRAM为加速向下一代如DDR5，LPDDR5和GDDR6过渡铺平了道路，这些将为将来创新提供动力。同时，三星开发更具高容量和高性能的1z nm产品将加强其业务竞争力，稳固其在高端DRAM市场中的指导位置，包括效劳器、图形和挪动设备等范畴。

该公司正积极与全球客户协作，在与CPU制造商停止8GB DDR4模块的全面考证后，将提供一系列存储处理计划。同时，三星在其平泽工厂消费先进的DRAM产品，满足市场不时增长的需求。

三星电子DRAM产品与技术执行副总裁李荣培（Jung Bae Lee）表示：“我们努力于打破技术范畴的最大应战，推进完成更大的创新。很快乐能再次为下一代DRAM的稳定消费奠定根底，确保性能和能源效率的最大化。随着我们推出1z nm的DRAM系列产品，三星将继续努力于支持其全球客户部署尖端系统，并满足高端内存市场的增长。”

美光开端量产16Gb 1z nm DDR4内存，功耗降低40%

8月，依据TPU的报道，AVX(艾维克斯)进口钽电容IC无源器件 美光曾经开端量产1z nm的16Gb DDR4，密度更高，功耗降低了40%。

据引见，与前一代1Y工艺相比，1z nm工艺的16Gb DDR4产品具有更高的比特密度，性能略有进步，本钱也更低。与前几代8Gb DDR4 RAM处理计划相比，新节点还使功耗降低了40%。

美光还宣布，它曾经开端批量出货业界容量最大的单片16Gb低功耗 LPDDR4X DRAM，1z nm LPDDR4X和uMCP4产品主要针对智能手机。

美光在DRAM市场的主要竞争对手三星(Samsung)去年春季宣布，将在今年下半年开端消费1z nm 8Gb DDR4模块，为下一代DDR5、LPDDR5和GDDR6内存产品的推出做准备。

SK海力士宣布开发第三代1Z nm内存芯片 年内完成批量消费

10月21日，SK海力士今天宣布开发适用第三代1z nm DDR4 DRAM，据称，这款芯片完成了单一芯片规范内业界最大容量的16Gb，在一张晶圆中能消费的存储量也是现存的DRAM内最大。

与上一代1Y产品相比，该产品的消费率进步了约27%，由于能够在不适用超高价的EUV（极紫外光刻）曝光工艺的状况下停止消费，其在本钱上具有竞争优势。

新款1z nm DRAM支持高达3200 Mbps的数据传输速率，据称是DDR4规格内最高速度。在功耗方面，与基于第二代8Gb产品的相同容量模组相比，功耗降低约40%。

第三代产品适用前一代消费工艺中历来没运用过的新资料，将DRAM操作的关键要素静电容量（Capacitance）最大化。此外，还引进了新的设计技术，进步了动作稳定性。

接下来，SK海力士方案将第三代10nm级微细工程技术扩展到多种应用范畴，包括下一代挪动DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。

DRAM 1z开发事业TF长李廷燻表示，该芯片方案年内完成批量消费，从明年开端正式供给。

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